|
Первый вариант. Полупроводник с проводимостью. Игра в «одни ворота». На поле состав команд с 41 ленным превосходством игроков команды п. Когда незаблоюн. ванные игроки р-команды игроки команды будут прорывать к воротам «+» возникает электронная проводимость.
Второй вариант. Полупроводник с проводимостью р-типа. составах команд преобладают игроки команды. Заблокиров всех игроков команды, оставшиеся игроки команды устремл ся в ворота. Идем к транзисторам — основным актив-современных электронных приборов. К активнымы, которые могут увеличивать мощность сигналов: электронные усилительные лампы, пневма- и гидроусилител-транзисторы и т. п.
Кстати есть еще и «пассивные» элементы. Это — резистор конденсаторы, индуктивности и т. п. Проходящий через них снг нал может только терять мощность. Мощность электрического сиг нала определяется произведением напряжения и силы тока. Есл сигнал проходит через резистор, то он нагревается. Таким образо часть мощности сигнала расходуется на нагрев, и его мощно в цепи после резистора окажется меньше, чем перед ней.
Транзисторы принято делить на два вида: полевые, или унн полярные (однополярные), и биполярные (частица «би» означа два). Исторически раньше появились биполярные транзистор. Поэтому начнем с них. Биполярные транзисторы имеют два р-перехода, т. е. как бы два включенных навстречу друг другу п лупроводниковых диода. Участки с р-п и я-проводим стью могут чередоваться, поэтому различают два типа транзис торов: р-п-р и п-р-п. Получившиеся три участк называют эмиттер — Э, база — б и коллектор — К.
Возьмем сначала транзистор типа п-р-п. В нем зоны эмиттер и коллектора будут представлять собой зоны с основными носи телями — электронами, а зона базы — с дырочными основным носителями. Если включить транзистор, то участок Э—Б поведет себя как открытый диод. Подключенный к этому участку внешний источник тока ЕБЭ помог ет электронам и дыркам преодолевать п-р переход. Второй внешний и точник тока ЕБК препятствует переходу носителей через барье р-п. В результате сопротивление на участке Э—Б будет незнач тельным, а на участке Б—К большим.
Ток, текущий через оба барьера, остается почти неизменны. Точнее, он несколько уменьшается на участке Б—К 3 счет того, что некоторые электроны рекомбинируют с дырками выбывают из общего потока электронов. Обычно рекомбинаи подвергается не более 3% зарядов. Это значит, что ток перехо Б—К составит до 97% от тока участка Э—Б. В то же время противление перехода Б—К закрытого вентиля в десятки Р 60 сопротивление перехода Э—Б открытого диода. Итак, шков, сопротивление выхода в десятки раз больше я входа. Значит, согласно закону Ома, напряжение на выходе будет превышать напряжение входного сигнала в десятки раз. Транзисторы более надежны и во много раз Электронных ламп.
Теперь представим, что на электроды областей, называем затвором, подано электрическое напряжение, отрицательное отношению к стоку. В результате канал, проводящий ток между истоком и ком, сузится и, следовательно, возрастет его омическое сопроти ление. Ток в цепи исток—сток уменьшится. Таким образом, твор будет выполнять такую же роль, как и управляющая сетка электронных лампах.
|
